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제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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장착 스타일: |
SMD/SMT |
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패키지 / 케이스: |
SON-8 |
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Transistor Polarity: |
P-Channel |
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채널 수: |
1 채널 |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
20 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
76 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
300 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 12 V, + 12 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.15 V |
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Qg – Gate Charge: |
9.7 nC |
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최소 작동 온도: |
– 55C |
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최대 작동 온도: |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
69 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Tradename: |
NexFET |
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시리즈: |
CSD25402Q3A |
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포장: |
릴 |
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포장: |
테이프 자르기 |
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포장: |
MouseReel |
| 브랜드: | 텍사스 인스트루먼트 |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 12 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 59 S |
| 제품 유형: | MOSFET |
| Rise Time: | 7 ns |
| 팩토리 팩 수량: | 250 |
| 하위 카테고리: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| 단위 무게: | 0.000981 oz |
CSD25402Q3AT
제품 속성
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제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
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패키지 / 케이스: |
SON-8 |
|
채널 수: |
1 채널 |
|
시리즈: |
CSD25402Q3A |
| 제품 유형: | MOSFET |
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