제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
제품 카테고리: | MOSFET |
Technology: |
Si |
장착 스타일: |
SMD/SMT |
패키지 / 케이스: |
PICOSTAR-4 |
Transistor Polarity: |
P-Channel |
채널 수: |
1 채널 |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
8 V |
Id – Continuous Drain Current: |
7.4 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
40 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 6 V, + 6 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.05 V |
Qg – Gate Charge: |
8.5 nC |
최소 작동 온도: |
– 55C |
최대 작동 온도: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
600 mW |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
시리즈: |
CSD22205L |
포장: |
릴 |
포장: |
테이프 자르기 |
포장: |
MouseReel |
브랜드: | 텍사스 인스트루먼트 |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 32 ns |
Forward Transconductance – Min: | 10.4 S |
제품 유형: | MOSFET |
Rise Time: | 14 ns |
팩토리 팩 수량: | 250 |
하위 카테고리: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
단위 무게: | 0.000032 oz |
CSD22205LT
제품 속성
제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
패키지 / 케이스: |
PICOSTAR-4 |
채널 수: |
1 채널 |
시리즈: |
CSD22205L |
제품 유형: | MOSFET |
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