제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
제품 카테고리: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
장착 스타일: |
구멍을 통해 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
채널 수: |
1 채널 |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
169 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
최소 작동 온도: |
– 55C |
최대 작동 온도: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
250 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
시리즈: |
CSD18532KCS |
포장: |
튜브 |
브랜드: | 텍사스 인스트루먼트 |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5.6 ns |
Forward Transconductance – Min: | 187 S |
높이: | 16.51 mm |
길이: | 10.67 mm |
제품 유형: | MOSFET |
Rise Time: | 5.3 ns |
팩토리 팩 수량: | 50 |
하위 카테고리: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
너비: | 4.7 mm |
단위 무게: | 0.068784 oz |
CSD18532KCS
제품 속성
제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
패키지 / 케이스: |
TO-220-3 |
채널 수: |
1 채널 |
시리즈: |
CSD18532KCS |
제품 유형: | MOSFET |
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