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제조업체: |
NXP |
| 제품 카테고리: | RF Bipolar Transistors |
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시리즈: |
BFU730F |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Technology: |
SiGe |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
55 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
205 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
2.8 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
1 V |
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Continuous Collector Current: |
5 mA |
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최대 작동 온도: |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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장착 스타일: |
SMD/SMT |
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패키지 / 케이스: |
SOT-343F-4 |
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포장: |
릴 |
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포장: |
테이프 자르기 |
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포장: |
MouseReel |
| 브랜드: | NXP Semiconductors |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 10V |
| DC Current Gain hFE Max: | 555 |
| 높이: | 0.75 mm |
| 길이: | 2.2 mm |
| Maximum DC Collector Current: | 30 mA |
| Pd – Power Dissipation: | 197 mW |
| 제품 유형: | RF Bipolar Transistors |
| 팩토리 팩 수량: | 3000 |
| 하위 카테고리: | Transistors |
| 유형: | RF Silicon Germanium |
| 너비: | 1.35 mm |
| 파트 # 별칭: | 934064614115 |
| 단위 무게: | 0.000235 oz |
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