|
제조업체: |
NXP |
| 제품 카테고리: | RF Bipolar Transistors |
|
시리즈: |
BFU530 |
|
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
|
Technology: |
Si |
|
Transistor Polarity: |
NPN |
|
Operating Frequency: |
11 GHz |
|
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
|
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12V |
|
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
|
Continuous Collector Current: |
40 mA |
|
최소 작동 온도: |
- 40 C |
|
최대 작동 온도: |
+ 150 C |
|
Configuration: |
Single |
|
장착 스타일: |
SMD/SMT |
|
패키지 / 케이스: |
SOT-143B-4 |
|
포장: |
릴 |
|
포장: |
테이프 자르기 |
| 브랜드: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
| Output Power: | 10 dBm |
| Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
| 제품 유형: | RF Bipolar Transistors |
| 팩토리 팩 수량: | 10000 |
| 하위 카테고리: | Transistors |
| 파트 # 별칭: | 934067703235 |
| 단위 무게: | 0.000314 oz |
KO 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
상품평
아직 상품평이 없습니다.