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제조업체: |
Microchip |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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장착 스타일: |
구멍을 통해 |
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패키지 / 케이스: |
TO-247-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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채널 수: |
1 채널 |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
500 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
47 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
100 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
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Qg – Gate Charge: |
470 nC |
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최소 작동 온도: |
– 55C |
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최대 작동 온도: |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
520 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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포장: |
튜브 |
| 브랜드: | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| 제품 유형: | MOSFET |
| 팩토리 팩 수량: | 1 |
| 하위 카테고리: | MOSFETs |
| 단위 무게: | 0.211644 oz |
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