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제조업체: |
NXP |
| 제품 카테고리: | RF MOSFET Transistors |
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Technology: |
GaN Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
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Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
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Gain: |
14.1 dB |
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Output Power: |
18 W |
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최소 작동 온도: |
– 55C |
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최대 작동 온도: |
+ 150 C |
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장착 스타일: |
SMD/SMT |
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패키지 / 케이스: |
DFN-10 |
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포장: |
릴 |
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포장: |
테이프 자르기 |
| 브랜드: | NXP Semiconductors |
| 채널 수: | 2채널 |
| 제품 유형: | RF MOSFET Transistors |
| 시리즈: | A5G35H120N |
| 팩토리 팩 수량: | 2000 |
| 하위 카테고리: | MOSFETs |
| 유형: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| 파트 # 별칭: | 935432729518 |
A5G35H120NT2
제품 속성
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제조업체: |
NXP |
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패키지 / 케이스: |
DFN-10 |
| 채널 수: | 2채널 |
| 제품 유형: | RF MOSFET Transistors |
| 시리즈: | A5G35H120N |
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