제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
제품 카테고리: | MOSFET |
Technology: |
Si |
장착 스타일: |
SMD/SMT |
패키지 / 케이스: |
VSONP-8 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
채널 수: |
1 채널 |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
Id – Continuous Drain Current: |
15 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
61 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.2 V |
Qg – Gate Charge: |
4.3 nC |
최소 작동 온도: |
– 55C |
최대 작동 온도: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
2.8 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
시리즈: |
CSD19538Q3A |
포장: |
릴 |
포장: |
테이프 자르기 |
포장: |
MouseReel |
브랜드: | 텍사스 인스트루먼트 |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
높이: | 0.9 mm |
길이: | 3.15 mm |
제품 유형: | MOSFET |
Rise Time: | 3 ns |
팩토리 팩 수량: | 250 |
하위 카테고리: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
너비: | 3 mm |
단위 무게: | 0.000963 oz |
CSD19538Q3AT
제품 속성
제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
패키지 / 케이스: |
VSONP-8 |
채널 수: |
1 채널 |
시리즈: |
CSD19538Q3A |
제품 유형: | MOSFET |
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