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제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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장착 스타일: |
SMD/SMT |
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패키지 / 케이스: |
VSONP-8 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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채널 수: |
1 채널 |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
83 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.8 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.1 V |
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Qg – Gate Charge: |
27 nC |
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최소 작동 온도: |
– 55C |
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최대 작동 온도: |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
53 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Tradename: |
NexFET |
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시리즈: |
CSD17577Q3A |
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포장: |
릴 |
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포장: |
테이프 자르기 |
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포장: |
MouseReel |
| 브랜드: | 텍사스 인스트루먼트 |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 4 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 76 S |
| 높이: | 0.9 mm |
| 길이: | 3.15 mm |
| 제품 유형: | MOSFET |
| Rise Time: | 31 ns |
| 팩토리 팩 수량: | 2500 |
| 하위 카테고리: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| 너비: | 3 mm |
| 단위 무게: | 0.000977 oz |
CSD17577Q3A
제품 속성
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제조업체: |
텍사스 인스트루먼트 |
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패키지 / 케이스: |
VSONP-8 |
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채널 수: |
1 채널 |
|
시리즈: |
CSD17577Q3A |
| 제품 유형: | MOSFET |
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