제조업체: |
ST마이크로일렉트로닉스 |
제품 카테고리: | MOSFET |
Technology: |
Si |
장착 스타일: |
SMD/SMT |
패키지 / 케이스: |
H2PAK-2 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
채널 수: |
1 채널 |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
600 V |
Id – Continuous Drain Current: |
27 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
99 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
최소 작동 온도: |
– 55C |
최대 작동 온도: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
179 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
자격: |
AEC-Q101 |
시리즈: |
MDmesh DM9 |
포장: |
릴 |
포장: |
테이프 자르기 |
포장: |
MouseReel |
브랜드: | ST마이크로일렉트로닉스 |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5 ns |
제품 유형: | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns |
팩토리 팩 수량: | 1000 |
하위 카테고리: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
단위 무게: | 0.052558 oz |
STH60N099DM9-2AG
제품 속성
제조업체: |
ST마이크로일렉트로닉스 |
패키지 / 케이스: |
H2PAK-2 |
채널 수: |
1 채널 |
시리즈: |
MDmesh DM9 |
제품 유형: | MOSFET |
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