제조업체: |
NXP |
제품 카테고리: | RF Bipolar Transistors |
시리즈: |
BFU530W |
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
Technology: |
Si |
Transistor Polarity: |
NPN |
Operating Frequency: |
11 GHz |
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12V |
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
Continuous Collector Current: |
40 mA |
최소 작동 온도: |
- 40 C |
최대 작동 온도: |
+ 150 C |
Configuration: |
Single |
장착 스타일: |
SMD/SMT |
패키지 / 케이스: |
SOT-323-3 |
포장: |
릴 |
포장: |
테이프 자르기 |
포장: |
MouseReel |
브랜드: | NXP Semiconductors |
Collector- Base Voltage VCBO: | 24 V |
DC Current Gain hFE Max: | 200 |
Gain Bandwidth Product fT: | 11 GHz |
Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
Operating Temperature Range: | – 40 C to + 150 C |
Output Power: | 10 dBm |
Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
제품 유형: | RF Bipolar Transistors |
팩토리 팩 수량: | 3000 |
하위 카테고리: | Transistors |
유형: | Wideband RF Transistor |
파트 # 별칭: | 934067694115 |
단위 무게: | 0.000196 oz |
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