TC6320K6-G

製品特性

カテゴリー: マイクロチップ

メーカー	Microchip
製品カテゴリー	MOSFET
Technology:	Si
取り付けスタイル：	SMD/SMT
パッケージ/ケース	DFN-8
Transistor Polarity:	N-Channel, P-Channel
チャンネル数	2 Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id – Continuous Drain Current:	1 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	7 Ohms, 8 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	–
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Qg – Gate Charge:	–
最低動作温度：	– 55 C
最高使用温度：	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	–
Channel Mode:	Enhancement
パッケージング：	リール
パッケージング：	カットテープ
パッケージング：	マウスリール
ブランド	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Fall Time:	15 ns, 15 ns
Forward Transconductance – Min:	400 mS, 400 mS
身長だ：	1.37 mm
長さ：	4.89 mm
湿気に弱い：	はい
製品：	MOSFET Small Signals
製品タイプ	MOSFET
Rise Time:	15 ns, 15 ns
工場出荷時のパック数量：	3300
サブカテゴリー	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns, 20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns, 10 ns
幅：	3.91 mm
単位重量：	0.005686 oz

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