メーカー |
STマイクロエレクトロニクス |
製品カテゴリー | MOSFET |
Technology: |
Si |
取り付けスタイル: |
SMD/SMT |
パッケージ/ケース |
H2PAK-2 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
チャンネル数 |
1チャンネル |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
600 V |
Id – Continuous Drain Current: |
27 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
99 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
最低動作温度: |
– 55 C |
最高使用温度: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
179 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
資格: |
AEC-Q101 |
シリーズ: |
MDmesh DM9 |
パッケージング: |
リール |
パッケージング: |
カットテープ |
パッケージング: |
マウスリール |
ブランド | STマイクロエレクトロニクス |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5 ns |
製品タイプ | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns |
工場出荷時のパック数量: | 1000 |
サブカテゴリー | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
単位重量: | 0.052558 oz |
STH60N099DM9-2AG
製品特性
メーカー |
STマイクロエレクトロニクス |
パッケージ/ケース |
H2PAK-2 |
チャンネル数 |
1チャンネル |
シリーズ: |
MDmesh DM9 |
製品タイプ | MOSFET |
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