NVMFS9D6P04M8LT1G

製品特性

カテゴリー: オンセミ

メーカー	onsemi
製品カテゴリー	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
取り付けスタイル：	SMD/SMT
パッケージ/ケース	SO-8FL
Transistor Polarity:	P-Channel
チャンネル数	1チャンネル
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id – Continuous Drain Current:	77 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	9.5 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Qg – Gate Charge:	15.05 nC
最低動作温度：	– 55 C
最高使用温度：	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	75 W
Channel Mode:	Enhancement
シリーズ：	NVMFS9D6P04M8L
パッケージング：	リール
パッケージング：	カットテープ
ブランド	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	63 ns
Forward Transconductance – Min:	36 S
製品タイプ	MOSFET
Rise Time:	103 ns
工場出荷時のパック数量：	1500
サブカテゴリー	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	83.3 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13.1 ns

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