NVH4L060N065SC1

製品特性

メーカー
 onsemi
パッケージ/ケース
 TO-247-4
チャンネル数
 1チャンネル
シリーズ：
 NVH4L060N065SC1
製品タイプ MOSFET

 

カテゴリー:
メーカー
 onsemi
製品カテゴリー MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 SiC
取り付けスタイル：
 Through Hole
パッケージ/ケース
 TO-247-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
チャンネル数
 1チャンネル
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 650 V
Id – Continuous Drain Current:
 47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4.3 V
Qg – Gate Charge:
 74 nC
最低動作温度：
 – 55 C
最高使用温度：
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 176 W
Channel Mode:
 Enhancement
Tradename:
 EliteSiC
シリーズ：
 NVH4L060N065SC1
パッケージング：
 チューブ
ブランド onsemi
Configuration: Single
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance – Min: 12 S
製品タイプ MOSFET
Rise Time: 14 ns
工場出荷時のパック数量： 450
サブカテゴリー MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 24 ns
Typical Turn-On Delay Time: 11 ns

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

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