メーカー |
onsemi |
製品カテゴリー | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
取り付けスタイル: |
Through Hole |
パッケージ/ケース |
TO-220-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
チャンネル数 |
1チャンネル |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
40 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
82 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
5 V |
Qg – Gate Charge: |
81 nC |
最低動作温度: |
– 55 C |
最高使用温度: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
313 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
シリーズ: |
NTP082N65S3HF |
パッケージング: |
チューブ |
ブランド | onsemi |
製品タイプ | MOSFET |
工場出荷時のパック数量: | 800 |
サブカテゴリー | MOSFETs |
NTP082N65S3HF
製品特性
メーカー |
onsemi |
パッケージ/ケース |
TO-220-3 |
チャンネル数 |
1チャンネル |
シリーズ: |
NTP082N65S3HF |
製品タイプ | MOSFET |
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