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メーカー |
onsemi |
| 製品カテゴリー | MOSFET |
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取り付けスタイル： |
SMD/SMT |
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パッケージ/ケース |
SO-8 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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チャンネル数 |
1チャンネル |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
136 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
1.7 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2.2 V |
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Qg – Gate Charge: |
20.8 nC |
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最低動作温度： |
– 55 C |
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最高使用温度： |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
64 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
| ブランド | onsemi |
| Configuration: | SIngle |
| Fall Time: | 17 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 136 S |
| 製品タイプ | MOSFET |
| Rise Time: | 32 ns |
| 工場出荷時のパック数量： | 1500 |
| サブカテゴリー | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
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