NTHL019N65S3H

製品特性

メーカー
 onsemi
パッケージ/ケース
 TO-247-3
チャンネル数
 1チャンネル
シリーズ：
 NTHL019N65S3H
製品タイプ MOSFET

 

カテゴリー:
メーカー
 onsemi
製品カテゴリー MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
取り付けスタイル：
 Through Hole
パッケージ/ケース
 TO-247-3
Transistor Polarity:
 N-Channel
チャンネル数
 1チャンネル
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 650 V
Id – Continuous Drain Current:
 75 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 19.3 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4 V
Qg – Gate Charge:
 282 nC
最低動作温度：
 – 55 C
最高使用温度：
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 625 W
Channel Mode:
 Enhancement
シリーズ：
 NTHL019N65S3H
パッケージング：
 チューブ
ブランド onsemi
製品タイプ MOSFET
工場出荷時のパック数量： 450
サブカテゴリー MOSFETs

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

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