MRF6V12500HR5

製品特性

メーカー
 エヌエックスピー
パッケージ/ケース
 NI-780H-2
チャンネル数 1チャンネル
製品タイプ RF MOSFET Transistors
シリーズ： MRF6V12500H

 

カテゴリー:
メーカー
 エヌエックスピー
製品カテゴリー RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity:
 N-Channel
Technology:
 Si
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 110 V
Operating Frequency:
 960 MHz to 1.215 MHz
Gain:
 19.7 dB
Output Power:
 500 W
最高使用温度：
 + 150 C
取り付けスタイル：
 Flange Mount
パッケージ/ケース
 NI-780H-2
パッケージング：
 リール
パッケージング：
 カットテープ
パッケージング：
 マウスリール
ブランド NXPセミコンダクターズ
Configuration: Single
チャンネル数 1チャンネル
製品タイプ RF MOSFET Transistors
シリーズ： MRF6V12500H
工場出荷時のパック数量： 50
サブカテゴリー MOSFETs
タイプ RF Power MOSFET
Vgs – Gate-Source Voltage: + 10 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V
パート# エイリアス 935310167178
単位重量： 0.226635 oz

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

NXP’s MRF6V12500 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET is designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. Features include devices that are internally matched for ease of use, qualified up to a maximum of 50 VDD operation, integrated ESD protection, and they have greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation. This device is suitable for use in pulse applications.
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