メーカー |
エヌエックスピー |
製品カテゴリー | RF MOSFET Transistors |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Technology: |
Si |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
110 V |
Operating Frequency: |
960 MHz to 1.215 MHz |
Gain: |
19.7 dB |
Output Power: |
500 W |
最高使用温度: |
+ 150 C |
取り付けスタイル: |
Flange Mount |
パッケージ/ケース |
NI-780H-2 |
パッケージング: |
リール |
パッケージング: |
カットテープ |
パッケージング: |
マウスリール |
ブランド | NXPセミコンダクターズ |
Configuration: | Single |
チャンネル数 | 1チャンネル |
製品タイプ | RF MOSFET Transistors |
シリーズ: | MRF6V12500H |
工場出荷時のパック数量: | 50 |
サブカテゴリー | MOSFETs |
タイプ | RF Power MOSFET |
Vgs – Gate-Source Voltage: | + 10 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
パート# エイリアス | 935310167178 |
単位重量: | 0.226635 oz |
MRF6V12500HR5
製品特性
メーカー |
エヌエックスピー |
パッケージ/ケース |
NI-780H-2 |
チャンネル数 | 1チャンネル |
製品タイプ | RF MOSFET Transistors |
シリーズ: | MRF6V12500H |
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