MRF6V10010NR4

製品特性

カテゴリー: エヌエックスピー

メーカー	エヌエックスピー
製品カテゴリー	RF MOSFET Transistors
REACH – SVHC:
Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Operating Frequency:	960 MHz to 1.4 GHz
Gain:	25 dB
Output Power:	10 W
最低動作温度：	– 65 C
最高使用温度：	+ 150 C
取り付けスタイル：	Flange Mount
パッケージ/ケース	PLD-1.5
パッケージング：	リール
パッケージング：	カットテープ
パッケージング：	マウスリール
ブランド	NXPセミコンダクターズ
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single Dual Source
身長だ：	1.83 mm
長さ：	6.73 mm
湿気に弱い：	はい
製品タイプ	RF MOSFET Transistors
シリーズ：	MRF6V10010N
工場出荷時のパック数量：	100
サブカテゴリー	MOSFETs
タイプ	RF Power MOSFET
Vgs – Gate-Source Voltage:	+ 10 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1.7 V
幅：	5.97 mm
パート# エイリアス	935321297531
単位重量：	0.009877 oz

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