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メーカー |
アナログ・デバイセズ社 |
| 製品カテゴリー | RF Bipolar Transistors |
|
シリーズ： |
MAX2601 |
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Transistor Type: |
Bipolar Power |
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Technology: |
Si |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
900 MHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
100 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
17 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
2.3 V |
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Continuous Collector Current: |
200 mA |
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最低動作温度： |
- 40 C |
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最高使用温度： |
+ 85 C |
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Configuration: |
Single |
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取り付けスタイル： |
SMD/SMT |
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パッケージ/ケース |
SOIC-8 |
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パッケージング： |
チューブ |
| ブランド | アナログ・デバイセズ / マキシム・インテグレーテッド |
| 身長だ： | 1.58 mm |
| 長さ： | 4.98 mm |
| Maximum DC Collector Current: | 1.2 A |
| Operating Temperature Range: | – 40 C to + 85 C |
| Output Power: | 1 W |
| Pd – Power Dissipation: | 6.4 W |
| 製品タイプ | RF Bipolar Transistors |
| 工場出荷時のパック数量： | 100 |
| サブカテゴリー | Transistors |
| タイプ | RF Bipolar Power |
| 幅： | 3.99 mm |
| パート# エイリアス | MAX2601 |
| 単位重量： | 0.019048オンス |
MAX2601ESA+
製品特性
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メーカー |
アナログ・デバイセズ社 |
|
シリーズ： |
MAX2601 |
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パッケージ/ケース |
SOIC-8 |
| 製品タイプ | RF Bipolar Transistors |
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