FCPF165N65S3L1-F154

製品特性

カテゴリー: オンセミ

メーカー	onsemi
製品カテゴリー	MOSFET
Technology:	Si
取り付けスタイル：	Through Hole
パッケージ/ケース	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
チャンネル数	1チャンネル
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	19 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	165 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Qg – Gate Charge:	35 nC
最低動作温度：	– 55 C
最高使用温度：	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	35 W
Channel Mode:	Enhancement
シリーズ：	FCPF165N65S3L1-F154
ブランド	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	16 ns
製品タイプ	MOSFET
Rise Time:	21 ns
工場出荷時のパック数量：	1000
サブカテゴリー	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	55 ns
Typical Turn-On Delay Time:	18 ns

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