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メーカー |
Microchip |
| 製品カテゴリー | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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取り付けスタイル： |
SMD/SMT |
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パッケージ/ケース |
SOT-89-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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チャンネル数 |
1チャンネル |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
250 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
360 mA |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
6 Ohms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.5 V |
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Qg – Gate Charge: |
– |
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最低動作温度： |
– 55 C |
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最高使用温度： |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
1.6 W |
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Channel Mode: |
Depletion |
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パッケージング： |
リール |
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パッケージング： |
カットテープ |
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パッケージング： |
マウスリール |
| ブランド | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 40 ns |
| 身長だ： | 1.6 mm |
| 長さ： | 4.6 mm |
| 製品： | MOSFET Small Signals |
| 製品タイプ | MOSFET |
| Rise Time: | 25 ns |
| 工場出荷時のパック数量： | 2000 |
| サブカテゴリー | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| タイプ | FET |
| 幅： | 2.6 mm |
| 単位重量： | 0.004233 oz |
DN3525N8-G
製品特性
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メーカー |
Microchip |
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パッケージ/ケース |
SOT-89-3 |
|
チャンネル数 |
1チャンネル |
| 製品： | MOSFET Small Signals |
| 製品タイプ | MOSFET |
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