DN2625DK6-G

製品特性

カテゴリー: マイクロチップ

メーカー	Microchip
製品カテゴリー	MOSFET
Technology:	Si
取り付けスタイル：	SMD/SMT
パッケージ/ケース	DFN-8
Transistor Polarity:	N-Channel
チャンネル数	2 Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	1.1 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	3.5 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.1 V
Qg – Gate Charge:	7.04 nC
最低動作温度：	– 55 C
最高使用温度：	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	–
Channel Mode:	Depletion
パッケージング：	Tray
ブランド	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Fall Time:	20 ns
湿気に弱い：	はい
製品：	MOSFET Small Signals
製品タイプ	MOSFET
Rise Time:	20 ns
工場出荷時のパック数量：	490
サブカテゴリー	MOSFETs
Transistor Type:	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	10 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
単位重量：	0.005686 oz

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