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メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
| 製品カテゴリー | MOSFET |
| REACH – SVHC: | |
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Technology: |
Si |
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取り付けスタイル： |
Through Hole |
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パッケージ/ケース |
TO-220-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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チャンネル数 |
1チャンネル |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
169 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.2 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.5 V |
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Qg – Gate Charge: |
44 nC |
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最低動作温度： |
– 55 C |
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最高使用温度： |
+ 175 C |
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Pd – Power Dissipation: |
250 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Tradename: |
NexFET |
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シリーズ： |
CSD18532KCS |
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パッケージング： |
チューブ |
| ブランド | テキサス・インスツルメンツ |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 5.6 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 187 S |
| 身長だ： | 16.51 mm |
| 長さ： | 10.67 mm |
| 製品タイプ | MOSFET |
| Rise Time: | 5.3 ns |
| 工場出荷時のパック数量： | 50 |
| サブカテゴリー | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
| 幅： | 4.7 mm |
| 単位重量： | 0.068784 oz |
CSD18532KCS
製品特性
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メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
|
パッケージ/ケース |
TO-220-3 |
|
チャンネル数 |
1チャンネル |
|
シリーズ： |
CSD18532KCS |
| 製品タイプ | MOSFET |
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