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メーカー |
エヌエックスピー |
| 製品カテゴリー | RF Bipolar Transistors |
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シリーズ： |
BFU730F |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Technology: |
SiGe |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
55 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
205 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
2.8 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
1 V |
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Continuous Collector Current: |
5 mA |
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最高使用温度： |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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取り付けスタイル： |
SMD/SMT |
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パッケージ/ケース |
SOT-343F-4 |
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パッケージング： |
リール |
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パッケージング： |
カットテープ |
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パッケージング： |
マウスリール |
| ブランド | NXPセミコンダクターズ |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 10 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 555 |
| 身長だ： | 0.75 mm |
| 長さ： | 2.2 mm |
| Maximum DC Collector Current: | 30 mA |
| Pd – Power Dissipation: | 197 mW |
| 製品タイプ | RF Bipolar Transistors |
| 工場出荷時のパック数量： | 3000 |
| サブカテゴリー | Transistors |
| タイプ | RF Silicon Germanium |
| 幅： | 1.35 mm |
| パート# エイリアス | 934064614115 |
| 単位重量： | 0.000235 oz |
BFU730F,115
製品特性
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メーカー |
エヌエックスピー |
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シリーズ： |
BFU730F |
|
パッケージ/ケース |
SOT-343F-4 |
| 製品タイプ | RF Bipolar Transistors |
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