BFU530VL

製品特性

カテゴリー: エヌエックスピー

メーカー	エヌエックスピー
製品カテゴリー	RF Bipolar Transistors
シリーズ：	BFU530
Transistor Type:	Bipolar Wideband
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Operating Frequency:	11 GHz
DC Collector/Base Gain hfe Min:	60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	12 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	2 V
Continuous Collector Current:	40 mA
最低動作温度：	- 40 C
最高使用温度：	+ 150 C
Configuration:	Single
取り付けスタイル：	SMD/SMT
パッケージ/ケース	SOT-143B-4
パッケージング：	リール
パッケージング：	カットテープ
ブランド	NXPセミコンダクターズ
Maximum DC Collector Current:	65 mA
Output Power:	10 dBm
Pd – Power Dissipation:	450 mW
製品タイプ	RF Bipolar Transistors
工場出荷時のパック数量：	10000
サブカテゴリー	Transistors
パート# エイリアス	934067703235
単位重量：	0.000314 oz

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