AFT05MP075GNR1

製品特性

カテゴリー: エヌエックスピー

メーカー	エヌエックスピー
製品カテゴリー	RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si
Id – Continuous Drain Current:	8 A
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Operating Frequency:	136 MHz to 520 MHz
Gain:	18.5 dB
Output Power:	70 W
最低動作温度：	- 40 C
最高使用温度：	+ 150 C
取り付けスタイル：	SMD/SMT
パッケージ/ケース	TO-270-WBG-4
パッケージング：	リール
パッケージング：	カットテープ
パッケージング：	マウスリール
ブランド	NXPセミコンダクターズ
Forward Transconductance – Min:	7.3 S
湿気に弱い：	はい
チャンネル数	2 Channel
Pd – Power Dissipation:	690 W
製品タイプ	RF MOSFET Transistors
シリーズ：	AFT05MP075N
工場出荷時のパック数量：	500
サブカテゴリー	MOSFETs
Transistor Type:	LDMOS FET
タイプ	RF Power MOSFET
Vgs – Gate-Source Voltage:	+ 12 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
パート# エイリアス	935311172528
単位重量：	0.057666 oz

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