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メーカー |
エヌエックスピー |
| 製品カテゴリー | RF MOSFET Transistors |
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Technology: |
GaN Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
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Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
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Gain: |
14.1 dB |
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Output Power: |
18 W |
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最低動作温度： |
– 55 C |
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最高使用温度： |
+ 150 C |
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取り付けスタイル： |
SMD/SMT |
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パッケージ/ケース |
DFN-10 |
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パッケージング： |
リール |
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パッケージング： |
カットテープ |
| ブランド | NXPセミコンダクターズ |
| チャンネル数 | 2 Channel |
| 製品タイプ | RF MOSFET Transistors |
| シリーズ： | A5G35H120N |
| 工場出荷時のパック数量： | 2000 |
| サブカテゴリー | MOSFETs |
| タイプ | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| パート# エイリアス | 935432729518 |
A5G35H120NT2
製品特性
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メーカー |
エヌエックスピー |
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パッケージ/ケース |
DFN-10 |
| チャンネル数 | 2 Channel |
| 製品タイプ | RF MOSFET Transistors |
| シリーズ： | A5G35H120N |
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