メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
製品カテゴリー | MOSFET |
Technology: |
Si |
取り付けスタイル: |
SMD/SMT |
パッケージ/ケース |
WSON-6 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
チャンネル数 |
1チャンネル |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
Id – Continuous Drain Current: |
25 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
16.9 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 8 V, + 10 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
600 mV |
Qg – Gate Charge: |
6 nC |
最低動作温度: |
– 55 C |
最高使用温度: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
16 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
シリーズ: |
CSD17318Q2 |
パッケージング: |
リール |
パッケージング: |
カットテープ |
パッケージング: |
マウスリール |
ブランド | テキサス・インスツルメンツ |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 4 ns |
Forward Transconductance – Min: | 42 S |
製品タイプ | MOSFET |
Rise Time: | 16 ns |
工場出荷時のパック数量: | 250 |
サブカテゴリー | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
単位重量: | 0.000194 oz |
CSD17318Q2T
製品特性
メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
パッケージ/ケース |
WSON-6 |
チャンネル数 |
1チャンネル |
シリーズ: |
CSD17318Q2 |
製品タイプ | MOSFET |
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