|
メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
| 製品カテゴリー | MOSFET |
|
Technology: |
Si |
|
取り付けスタイル： |
SMD/SMT |
|
パッケージ/ケース |
VSONP-8 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
チャンネル数 |
1チャンネル |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
83 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.8 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.1 V |
|
Qg – Gate Charge: |
27 nC |
|
最低動作温度： |
– 55 C |
|
最高使用温度： |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
53 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Tradename: |
NexFET |
|
シリーズ： |
CSD17577Q3A |
|
パッケージング： |
リール |
|
パッケージング： |
カットテープ |
|
パッケージング： |
マウスリール |
| ブランド | テキサス・インスツルメンツ |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 4 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 76 S |
| 身長だ： | 0.9 mm |
| 長さ： | 3.15 mm |
| 製品タイプ | MOSFET |
| Rise Time: | 31 ns |
| 工場出荷時のパック数量： | 2500 |
| サブカテゴリー | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| 幅： | 3 mm |
| 単位重量： | 0.000977 oz |
CSD17577Q3A
製品特性
|
メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
|
パッケージ/ケース |
VSONP-8 |
|
チャンネル数 |
1チャンネル |
|
シリーズ： |
CSD17577Q3A |
| 製品タイプ | MOSFET |
JA 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
レビュー
レビューはまだありません。