メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
製品カテゴリー | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
取り付けスタイル: |
SMD/SMT |
パッケージ/ケース |
LSON-CLIP-8 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
チャンネル数 |
2 Channel |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
25 V |
Id – Continuous Drain Current: |
4.5 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
– |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 5 V, + 5 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2.1 V, 1.6 V |
Qg – Gate Charge: |
6.2 nC, 12 nC |
最低動作温度: |
– 55 C |
最高使用温度: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
6 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
シリーズ: |
CSD86330Q3D |
パッケージング: |
リール |
パッケージング: |
カットテープ |
パッケージング: |
マウスリール |
ブランド | テキサス・インスツルメンツ |
Configuration: | Dual |
開発キット: | CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679 |
Fall Time: | 1.9 ns, 4.2 ns |
Forward Transconductance – Min: | 52 S, 82 S |
身長だ: | 1.5 mm |
長さ: | 3.3 mm |
製品タイプ | MOSFET |
Rise Time: | 7.5 ns, 6.3 ns |
工場出荷時のパック数量: | 2500 |
サブカテゴリー | MOSFETs |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 8.5 ns, 15.8 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4.9 ns, 5.3 ns |
幅: | 3.3 mm |
単位重量: | 0.002254 oz |
CSD86330Q3D
製品特性
メーカー |
テキサス・インスツルメンツ |
パッケージ/ケース |
LSON-CLIP-8 |
チャンネル数 |
2 Channel |
シリーズ: |
CSD86330Q3D |
製品タイプ | MOSFET |
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