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メーカー |
Microchip |
| 製品カテゴリー | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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取り付けスタイル： |
Through Hole |
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パッケージ/ケース |
TO-247-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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チャンネル数 |
1チャンネル |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
500 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
47 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
100 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
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Qg – Gate Charge: |
470 nC |
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最低動作温度： |
– 55 C |
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最高使用温度： |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
520 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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パッケージング： |
チューブ |
| ブランド | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| 製品タイプ | MOSFET |
| 工場出荷時のパック数量： | 1 |
| サブカテゴリー | MOSFETs |
| 単位重量： | 0.211644 oz |
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