NTMFS3D6N10MCLT1G

製品特性

メーカー
 onsemi
パッケージ/ケース
 SO-8FL-4
チャンネル数
 1チャンネル
シリーズ：
 NTMFS3D6N10MCL
製品タイプ MOSFET

 

カテゴリー:
メーカー
 onsemi
製品カテゴリー MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
取り付けスタイル：
 SMD/SMT
パッケージ/ケース
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
チャンネル数
 1チャンネル
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 100 V
Id – Continuous Drain Current:
 131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 3 V
Qg – Gate Charge:
 60 nC
最低動作温度：
 – 55 C
最高使用温度：
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 136 W
Channel Mode:
 Enhancement
シリーズ：
 NTMFS3D6N10MCL
パッケージング：
 リール
パッケージング：
 カットテープ
パッケージング：
 マウスリール
ブランド onsemi
製品タイプ MOSFET
工場出荷時のパック数量： 1500
サブカテゴリー MOSFETs

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

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