NVMFS5C420NLT1G

製品特性

メーカー
 onsemi
パッケージ/ケース
 SO-8FL-4
チャンネル数
 1チャンネル
シリーズ：
 NVMFS5C420NL
製品タイプ MOSFET

 

カテゴリー:
メーカー
 onsemi
製品カテゴリー MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
取り付けスタイル：
 SMD/SMT
パッケージ/ケース
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
チャンネル数
 1チャンネル
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 40 V
Id – Continuous Drain Current:
 277 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2.2 V
Qg – Gate Charge:
 100 nC
最低動作温度：
 – 55 C
最高使用温度：
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 146 W
Channel Mode:
 Enhancement
シリーズ：
 NVMFS5C420NL
パッケージング：
 リール
パッケージング：
 カットテープ
パッケージング：
 マウスリール
ブランド onsemi
製品タイプ MOSFET
工場出荷時のパック数量： 1500
サブカテゴリー MOSFETs

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Automotive Power MOSFETs

onsemi  Power MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low Qg/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi’s advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

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