NVH4L060N065SC1

Proprietà del prodotto

Produttore:	onsemi
Pacchetto / Custodia:	TO-247-4
Numero di canali:	1 Canale
Serie:	NVH4L060N065SC1
Tipo di prodotto:	MOSFET

Categoria: ONSEMI

Produttore:	onsemi
Categoria di prodotti:	MOSFET
REACH – SVHC:
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Pacchetto / Custodia:	TO-247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Numero di canali:	1 Canale
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg – Gate Charge:	74 nC
Temperatura minima di esercizio:	– 55 C
Temperatura massima di esercizio:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	176 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	EliteSiC
Serie:	NVH4L060N065SC1
Imballaggio:	Tubo
Marchio:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	12 S
Tipo di prodotto:	MOSFET
Rise Time:	14 ns
Quantità della confezione di fabbrica:	450
Sottocategoria:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11 ns

Ulteriori informazioni

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Recensioni

Ancora non ci sono recensioni.

NVH4L060N065SC1

Ulteriori informazioni

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Recensioni

Recensisci per primo “NVH4L060N065SC1” Annulla risposta

Prodotti correlati

Accedi