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Produttore: |
onsemi |
| Categoria di prodotti: | MOSFET |
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Stile di montaggio: |
SMD/SMT |
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Pacchetto / Custodia: |
SO-8 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Numero di canali: |
1 Canale |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
136 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
1.7 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2.2 V |
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Qg – Gate Charge: |
20.8 nC |
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Temperatura minima di esercizio: |
– 55 C |
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Temperatura massima di esercizio: |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
64 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
| Marchio: | onsemi |
| Configuration: | SIngle |
| Fall Time: | 17 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 136 S |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
| Rise Time: | 32 ns |
| Quantitร della confezione di fabbrica: | 1500 |
| Sottocategoria: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
NTMFS4C324NT1G
Proprietร del prodotto
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Produttore: |
onsemi |
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Pacchetto / Custodia: |
SO-8 |
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Numero di canali: |
1 Canale |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
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