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Produttore: |
onsemi |
| Categoria di prodotti: | MOSFET |
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Tecnologia: |
SiC |
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Stile di montaggio: |
SMD/SMT |
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Pacchetto / Custodia: |
TO-247-4 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Numero di canali: |
1 Canale |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
1.2 kV |
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Id – Continuous Drain Current: |
151 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
20 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 22 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.4 V |
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Qg – Gate Charge: |
254 nC |
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Temperatura minima di esercizio: |
– 55 C |
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Temperatura massima di esercizio: |
+ 175 C |
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Pd – Power Dissipation: |
682 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Tradename: |
EliteSiC |
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Serie: |
NTH4L013N120M3S |
| Marchio: | onsemi |
| Configuration: | SIngle |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 57 S |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
| Rise Time: | 23 ns |
| Quantitร della confezione di fabbrica: | 450 |
| Sottocategoria: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
NTH4L013N120M3S
Proprietร del prodotto
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Produttore: |
onsemi |
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Pacchetto / Custodia: |
TO-247-4 |
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Numero di canali: |
1 Canale |
|
Serie: |
NTH4L013N120M3S |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
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