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Produttore: |
Microchip |
| Categoria di prodotti: | Discrete Semiconductor Modules |
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Prodotto: |
Power MOSFET Modules |
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Tecnologia: |
SiC |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
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Stile di montaggio: |
Screw Mount |
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Pacchetto / Custodia: |
TO-247-3 |
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Temperatura minima di esercizio: |
– 55 C |
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Temperatura massima di esercizio: |
+ 175 C |
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Imballaggio: |
Tubo |
| Marchio: | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id – Continuous Drain Current: | 113 A |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Pd – Power Dissipation: | 455 W |
| Tipo di prodotto: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Quantitร della confezione di fabbrica: | 30 |
| Sottocategoria: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
MSC017SMA120B
Proprietร del prodotto
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Produttore: |
Microchip |
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Prodotto: |
Power MOSFET Modules |
|
Pacchetto / Custodia: |
TO-247-3 |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Tipo di prodotto: | Discrete Semiconductor Modules |
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