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Produttore: |
NXP |
| Categoria di prodotti: | RF MOSFET Transistors |
| REACH – SVHC: | |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Tecnologia: |
Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
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Operating Frequency: |
960 MHz to 1.4 GHz |
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Gain: |
25 dB |
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Output Power: |
10 W |
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Temperatura minima di esercizio: |
– 65 C |
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Temperatura massima di esercizio: |
+ 150 C |
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Stile di montaggio: |
Flange Mount |
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Pacchetto / Custodia: |
PLD-1.5 |
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Imballaggio: |
Mulinello |
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Imballaggio: |
Taglio del nastro |
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Imballaggio: |
MouseReel |
| Marchio: | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single Dual Source |
| Altezza: | 1.83 mm |
| Lunghezza: | 6.73 mm |
| Sensibile all'umiditร : | Sรฌ |
| Tipo di prodotto: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | MRF6V10010N |
| Quantitร della confezione di fabbrica: | 100 |
| Sottocategoria: | MOSFETs |
| Tipo: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | + 10 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Larghezza: | 5.97 mm |
| Parte # Alias: | 935321297531 |
| Peso dell'unitร : | 0.009877 oz |
MRF6V10010NR4
Proprietร del prodotto
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Produttore: |
NXP |
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Pacchetto / Custodia: |
PLD-1.5 |
| Tipo di prodotto: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | MRF6V10010N |
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