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Produttore: |
NXP |
| Categoria di prodotti: | RF Bipolar Transistors |
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Serie: |
BFU730F |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Tecnologia: |
SiGe |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
55 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
205 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
2.8 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
1 V |
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Continuous Collector Current: |
5 mA |
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Temperatura massima di esercizio: |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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Stile di montaggio: |
SMD/SMT |
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Pacchetto / Custodia: |
SOT-343F-4 |
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Imballaggio: |
Mulinello |
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Imballaggio: |
Taglio del nastro |
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Imballaggio: |
MouseReel |
| Marchio: | NXP Semiconductors |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 10 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 555 |
| Altezza: | 0.75 mm |
| Lunghezza: | 2.2 mm |
| Maximum DC Collector Current: | 30 mA |
| Pd – Power Dissipation: | 197 mW |
| Tipo di prodotto: | RF Bipolar Transistors |
| Quantitร della confezione di fabbrica: | 3000 |
| Sottocategoria: | Transistors |
| Tipo: | RF Silicon Germanium |
| Larghezza: | 1.35 mm |
| Parte # Alias: | 934064614115 |
| Peso dell'unitร : | 0.000235 oz |
BFU730F,115
Proprietร del prodotto
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Produttore: |
NXP |
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Serie: |
BFU730F |
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Pacchetto / Custodia: |
SOT-343F-4 |
| Tipo di prodotto: | RF Bipolar Transistors |
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