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Produttore: |
NXP |
| Categoria di prodotti: | RF Bipolar Transistors |
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Serie: |
BFU530 |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Tecnologia: |
Si |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
11 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
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Continuous Collector Current: |
40mA |
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Temperatura minima di esercizio: |
- 40 C |
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Temperatura massima di esercizio: |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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Stile di montaggio: |
SMD/SMT |
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Pacchetto / Custodia: |
SOT-143B-4 |
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Imballaggio: |
Mulinello |
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Imballaggio: |
Taglio del nastro |
| Marchio: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
| Output Power: | 10 dBm |
| Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
| Tipo di prodotto: | RF Bipolar Transistors |
| Quantitร della confezione di fabbrica: | 10000 |
| Sottocategoria: | Transistors |
| Parte # Alias: | 934067703235 |
| Peso dell'unitร : | 0.000314 oz |
BFU530VL
Proprietร del prodotto
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Produttore: |
NXP |
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Serie: |
BFU530 |
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Pacchetto / Custodia: |
SOT-143B-4 |
| Tipo di prodotto: | RF Bipolar Transistors |
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