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Produttore: |
NXP |
| Categoria di prodotti: | RF MOSFET Transistors |
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Tecnologia: |
GaN Si |
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Id – Continuous Drain Current: |
12 mA |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
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Operating Frequency: |
3.3 GHz to 4.3 GHz |
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Gain: |
16.9 dB |
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Output Power: |
24.5 dBm |
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Temperatura minima di esercizio: |
– 55 C |
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Temperatura massima di esercizio: |
+ 150 C |
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Stile di montaggio: |
SMD/SMT |
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Pacchetto / Custodia: |
DFN-6 |
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Imballaggio: |
Mulinello |
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Imballaggio: |
Taglio del nastro |
| Marchio: | NXP Semiconductors |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Tipo di prodotto: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | A5G35S004N |
| Quantitร della confezione di fabbrica: | 5000 |
| Sottocategoria: | MOSFETs |
| Tipo: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.5 V |
| Parte # Alias: | 935417637528 |
A5G35S004NT6
Proprietร del prodotto
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Produttore: |
NXP |
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Pacchetto / Custodia: |
DFN-6 |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Tipo di prodotto: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | A5G35S004N |
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