Produttore: |
NXP |
Categoria di prodotti: | RF MOSFET Transistors |
Tecnologia: |
GaN Si |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
100 MHz to 2.69 GHz |
Gain: |
18 dB |
Output Power: |
8 W |
Temperatura minima di esercizio: |
– 55 C |
Temperatura massima di esercizio: |
+ 150 C |
Stile di montaggio: |
SMD/SMT |
Pacchetto / Custodia: |
DFN-6 |
Imballaggio: |
Mulinello |
Imballaggio: |
Taglio del nastro |
Marchio: | NXP Semiconductors |
Numero di canali: | 2 canali |
Tipo di prodotto: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A3G26D055 |
Quantitร della confezione di fabbrica: | 2500 |
Sottocategoria: | MOSFETs |
Tipo: | RF Power MOSFET |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.7 V |
Parte # Alias: | 935402445528 |
A3G26D055NT4
Proprietร del prodotto
Produttore: |
NXP |
Pacchetto / Custodia: |
DFN-6 |
Numero di canali: | 2 canali |
Tipo di prodotto: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A3G26D055 |
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