Produttore: |
Texas Instruments |
Categoria di prodotti: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Tecnologia: |
Si |
Stile di montaggio: |
Through Hole |
Pacchetto / Custodia: |
TO-220-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Numero di canali: |
1 Canale |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
169 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
Temperatura minima di esercizio: |
– 55 C |
Temperatura massima di esercizio: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
250 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
Serie: |
CSD18532KCS |
Imballaggio: |
Tubo |
Marchio: | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5.6 ns |
Forward Transconductance – Min: | 187 S |
Altezza: | 16.51 mm |
Lunghezza: | 10.67 mm |
Tipo di prodotto: | MOSFET |
Rise Time: | 5.3 ns |
Quantitร della confezione di fabbrica: | 50 |
Sottocategoria: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
Larghezza: | 4.7 mm |
Peso dell'unitร : | 0.068784 oz |
CSD18532KCS
Proprietร del prodotto
Produttore: |
Texas Instruments |
Pacchetto / Custodia: |
TO-220-3 |
Numero di canali: |
1 Canale |
Serie: |
CSD18532KCS |
Tipo di prodotto: | MOSFET |
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