|
Produttore: |
Microchip |
| Categoria di prodotti: | Discrete Semiconductor Modules |
|
Prodotto: |
Power MOSFET Modules |
|
Tecnologia: |
SiC |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
|
Stile di montaggio: |
Screw Mount |
|
Pacchetto / Custodia: |
TO-247-3 |
|
Temperatura minima di esercizio: |
– 55 C |
|
Temperatura massima di esercizio: |
+ 175 C |
|
Imballaggio: |
Tubo |
| Marchio: | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id – Continuous Drain Current: | 113 A |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Pd – Power Dissipation: | 455 W |
| Tipo di prodotto: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Quantità della confezione di fabbrica: | 30 |
| Sottocategoria: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
MSC017SMA120B
Proprietà del prodotto
|
Produttore: |
Microchip |
|
Prodotto: |
Power MOSFET Modules |
|
Pacchetto / Custodia: |
TO-247-3 |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Tipo di prodotto: | Discrete Semiconductor Modules |
IT 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Recensioni
Ancora non ci sono recensioni.