NVMJST1D4N06CLTXG

A termék tulajdonságai

Gyártó:
 onsemi
Csomag / tok:
 TCPAK57
Csatornák száma:
 1 csatorna
Sorozat:
 NVMJST1D4N06CL
Terméktípus: MOSFET

 

Kategória:
Gyártó:
 onsemi
Termékkategória: MOSFET
Szerelési stílus:
 SMD/SMT
Csomag / tok:
 TCPAK57
Transistor Polarity:
 N-Channel
Csatornák száma:
 1 csatorna
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 60 V
Id – Continuous Drain Current:
 198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2 V
Qg – Gate Charge:
 92.2 nC
Minimális üzemi hőmérséklet:
 – 55 C
Maximális üzemi hőmérséklet:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 113 W
Channel Mode:
 Enhancement
Sorozat:
 NVMJST1D4N06CL
Márka: onsemi
Configuration: Single
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance – Min: 217 S
Terméktípus: MOSFET
Rise Time: 25 ns
Gyári csomag mennyisége: 3000
Alkategória: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
Typical Turn-On Delay Time: 16 ns

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

„NVMJST1D4N06CLTXG” értékelése elsőként

Kapcsolódó termékek

Gyors nézet

NCS21872DMR2G

Gyors nézet

NCS20091MUTAG

Helytartó
Gyors nézet

NCV0372BDWR2G

Gyors nézet

NCV20072DR2G

Gyors nézet

NCS213RSQT2G

Gyors nézet

MC33172VDR2G

Gyors nézet

NCS21912DMR2G

Gyors nézet

NCS20032DR2G

hu_HUHU
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK hu_HUHU