NVH4L060N065SC1

A termék tulajdonságai

Gyártó:	onsemi
Csomag / tok:	TO-247-4
Csatornák száma:	1 csatorna
Sorozat:	NVH4L060N065SC1
Terméktípus:	MOSFET

Kategória: ONSEMI

Gyártó:	onsemi
Termékkategória:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	SiC
Szerelési stílus:	Through Hole
Csomag / tok:	TO-247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Csatornák száma:	1 csatorna
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg – Gate Charge:	74 nC
Minimális üzemi hőmérséklet:	– 55 C
Maximális üzemi hőmérséklet:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	176 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	EliteSiC
Sorozat:	NVH4L060N065SC1
Csomagolás:	Cső
Márka:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	12 S
Terméktípus:	MOSFET
Rise Time:	14 ns
Gyári csomag mennyisége:	450
Alkategória:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11 ns

További információ

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

NVH4L060N065SC1

További információ

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Értékelések

„NVH4L060N065SC1” értékelése elsőként Válasz megszakítása

Kapcsolódó termékek

Bejelentkezés