NTHL019N65S3H

A termék tulajdonságai

Gyártó:
 onsemi
Csomag / tok:
 TO-247-3
Csatornák száma:
 1 csatorna
Sorozat:
 NTHL019N65S3H
Terméktípus: MOSFET

 

Kategória:
Gyártó:
 onsemi
Termékkategória: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Szerelési stílus:
 Through Hole
Csomag / tok:
 TO-247-3
Transistor Polarity:
 N-Channel
Csatornák száma:
 1 csatorna
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 650 V
Id – Continuous Drain Current:
 75 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 19.3 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4 V
Qg – Gate Charge:
 282 nC
Minimális üzemi hőmérséklet:
 – 55 C
Maximális üzemi hőmérséklet:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 625 W
Channel Mode:
 Enhancement
Sorozat:
 NTHL019N65S3H
Csomagolás:
 Cső
Márka: onsemi
Terméktípus: MOSFET
Gyári csomag mennyisége: 450
Alkategória: MOSFETs

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

„NTHL019N65S3H” értékelése elsőként

Kapcsolódó termékek

Gyors nézet

NE521DR2G

Gyors nézet

TLV274DTBR2G

Gyors nézet

LM2904DMR2G

Gyors nézet

MC33172DR2G

Gyors nézet

NCS2252SN2T1G

Gyors nézet

LM2901DTBR2G

Helytartó
Gyors nézet

NCV0372BDWR2G

Gyors nézet

NCV2904DMR2G

hu_HUHU
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK hu_HUHU