NTH4L013N120M3S

A termék tulajdonságai

Gyártó:	onsemi
Csomag / tok:	TO-247-4
Csatornák száma:	1 csatorna
Sorozat:	NTH4L013N120M3S
Terméktípus:	MOSFET

Kategória: ONSEMI

Gyártó:	onsemi
Termékkategória:	MOSFET
Technology:	SiC
Szerelési stílus:	SMD/SMT
Csomag / tok:	TO-247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Csatornák száma:	1 csatorna
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id – Continuous Drain Current:	151 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	20 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 10 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.4 V
Qg – Gate Charge:	254 nC
Minimális üzemi hőmérséklet:	– 55 C
Maximális üzemi hőmérséklet:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	682 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	EliteSiC
Sorozat:	NTH4L013N120M3S
Márka:	onsemi
Configuration:	SIngle
Fall Time:	10 ns
Forward Transconductance – Min:	57 S
Terméktípus:	MOSFET
Rise Time:	23 ns
Gyári csomag mennyisége:	450
Alkategória:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	56 ns
Typical Turn-On Delay Time:	22 ns

További információ

NTH4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTH4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are a family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs. The MOSFETs feature ultra-low gate charges and low switching losses. Some MOSFET models provide high-speed switching with low capacitance ratings. The NTH4L series is 100% avalanche tested and RoHS compliant. The onsemi NTH4L SiC MOSFETs are ideal for various power applications, including solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, uninterruptible power supplies (UPS), energy storage systems, and switch-mode power supplies (SMPS).

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

NTH4L013N120M3S

További információ

NTH4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Értékelések

„NTH4L013N120M3S” értékelése elsőként Válasz megszakítása

Kapcsolódó termékek

Bejelentkezés